基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量

	基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量
	齐学义 ; 李晨晨 ; 杨国来; 蔡丽霞
	2007-10-15
发表期刊	兰州理工大学学报
ISSN	ISSN：1673-5196
期号	2007年05期页码:162-164
摘要	使用紫外-可见光分光光度计,研究用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜的反射光谱、透射光谱以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅衬底上GaN薄膜的反射光谱,结果表明,所测的GaN薄膜和体材料的光学吸收边出现在364 nm附近,对应的禁带宽度为3.41 eV.在两种不同衬底上,薄膜的反射谱由于材料晶格常数和热膨胀系数的不同有所差别.
关键词	氮化镓薄膜反射光谱透射光谱
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收录类别	CNKI
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/20034
专题	兰石研究院（新区研究院）
作者单位	1.兰州理工大学流体动力与控制学院 2.兰州理工大学机电工程学院甘肃兰州730050
推荐引用方式 GB/T 7714	齐学义,李晨晨,杨国来,等. 基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量[J]. 兰州理工大学学报,2007(2007年05期):162-164.
APA	齐学义,李晨晨,杨国来,&蔡丽霞.(2007).基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量.兰州理工大学学报(2007年05期),162-164.
MLA	齐学义,et al."基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量".兰州理工大学学报 .2007年05期(2007):162-164.

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基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜（245KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载