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双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用 | |
朱世欣; 王贵锋![]() | |
2013-01-25 | |
发表期刊 | 自动化与仪器仪表
![]() |
ISSN | ISSN:1001-9227 |
期号 | 2013年01期页码:101-103+106 |
摘要 | 主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用。用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等。从BJT的基本电流用方程出发,用Gummel-Poon建立起器件性能与材料、结构和工艺参数之间的联系。分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系。论文中将该模型与现代BJT的典型结构参数和工艺参数结合起来,应用于现代BJT的理论分析之中,通过具体计算给出了应用实例。 |
关键词 | 双极型晶体管 Gummel-Poon模型 基区Gummel数 大注入 自建电场 |
URL | 查看原文 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/10798 |
专题 | 电气工程与信息工程学院 |
作者单位 | 兰州理工大学技术工程学院 |
第一作者单位 | 技术工程学院 |
第一作者的第一单位 | 技术工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱世欣,王贵锋. 双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用[J]. 自动化与仪器仪表,2013(2013年01期):101-103+106. |
APA | 朱世欣,&王贵锋.(2013).双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用.自动化与仪器仪表(2013年01期),101-103+106. |
MLA | 朱世欣,et al."双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用".自动化与仪器仪表 .2013年01期(2013):101-103+106. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
双极型晶体管非理想效应的Gummel-P(2253KB) | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 请求全文 |
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