双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用

	双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用
	朱世欣; 王贵锋
	2013-01-25
发表期刊	自动化与仪器仪表
ISSN	ISSN：1001-9227
期号	2013年01期页码:101-103+106
摘要	主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用。用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等。从BJT的基本电流用方程出发,用Gummel-Poon建立起器件性能与材料、结构和工艺参数之间的联系。分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系。论文中将该模型与现代BJT的典型结构参数和工艺参数结合起来,应用于现代BJT的理论分析之中,通过具体计算给出了应用实例。
关键词	双极型晶体管 Gummel-Poon模型基区Gummel数大注入自建电场
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收录类别	CNKI
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/10798
专题	电气工程与信息工程学院
作者单位	兰州理工大学技术工程学院
第一作者单位	技术工程学院
第一作者的第一单位	技术工程学院
推荐引用方式 GB/T 7714	朱世欣,王贵锋. 双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用[J]. 自动化与仪器仪表,2013(2013年01期):101-103+106.
APA	朱世欣,&王贵锋.(2013).双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用.自动化与仪器仪表(2013年01期),101-103+106.
MLA	朱世欣,et al."双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用".自动化与仪器仪表 .2013年01期(2013):101-103+106.

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双极型晶体管非理想效应的Gummel-P（2253KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载