溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究

题名	溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究
作者	钟小华
学位类型	硕士
导师	杨保平 ; 贾均红
答辩日期	2008
学位授予单位	兰州理工大学
学位名称	工学硕士
学位专业	化学工艺
关键词	sol-gel法纳米ATO粉体和薄膜方块电阻光透过率荧光性能
摘要	二氧化锡(SnO2)是一种具有直接带隙的宽禁带N型半导体材料，300K时其禁带宽度为3.62eV，室温下电阻率较高，当产生氧空位或掺杂元素后形成N型半导体，具有导电性能。锑掺杂二氧化锡（Antimony doped Tin Oxide, ATO）作为透明导电薄膜由于具有优良的导电性能、光学性能、稳定性好和灵敏度高等优点，广泛应于太阳能电池、电致变色材料、防辐射抗静电材料、气敏元件、电极材料等方面。
其他摘要	Tin oxide (SnO2) is an n-type wide energy gap semiconductor oxide, the energy gap is 3.62 eV at 300 K, and its resistivity is very high at room temperature. Oxygen vacancies and extrinsic dopants can increase the concentration of charge carrier in SnO2 and thus the conductivity is further increased. Antimony-doped tin oxide (ATO) is an important member of the transparent conductive oxides and widely used in solar cells, electrochromic materials, anti-radiation and anti-static materials, gas sensors, transparent electrodes for its high electrical conductivity, high optical transmission, good stability and high sensibility.
页数	59
语种	中文
学号	082081702014
文献类型	学位论文
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/98771
专题	兰州理工大学
作者单位	兰州理工大学
第一作者单位	兰州理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	钟小华. 溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究[D]. 兰州理工大学,2008.