Lanzhou University of Technology Institutional Repository （LUT_IR）
| 铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理 | |
力一轩; 张飞 ; 郭鑫; 尹建波; 卢学峰
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| 2015-08-15 | |
| 发表期刊 | 兰州理工大学学报
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| ISSN | ISSN：1673-5196 |
| 期号 | 2015年04期页码:24-30 |
| 摘要 | 采用密度泛函理论下的平面波赝势方法和广义梯度近似,计算稀土元素铈掺杂氮化硅体系的电子结构及其光学性能.结果表明:随掺杂浓度的提高,能带密度逐渐增加,带隙逐渐减小,分别为1.609、1.117、0.655eV,接近半导体带隙特征;差分电荷密度图表明,随掺杂浓度的提高,铈与氮成键的共价性逐渐降低,离子性逐渐升高,并通过布居值得到验证;掺杂一个铈原子体系在低能区的介电常数和损耗较小,表明其作为电介质材料在光电器件应用中可体现较长的使用寿命,同时在可见光区具有低的吸收系数和反射率,呈现"透明型"性质,说明光在该体系中更容易传播,也表明其作为光学元件具有潜在的应用前景. |
| 关键词 | 稀土掺杂 氮化硅 电子结构 光学性能 第一性原理 |
| DOI | 10.13295/j.cnki.jlut.2015.04.006 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 引用统计 | 无
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| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/156781 |
| 专题 | 党委组织部（党校、帮扶办） 材料科学与工程学院 |
| 作者单位 | 1.内蒙古第一机械集团有限公司; 2.兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 力一轩,张飞,郭鑫,等. 铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理[J]. 兰州理工大学学报,2015(2015年04期):24-30. |
| APA | 力一轩,张飞,郭鑫,尹建波,&卢学峰.(2015).铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理.兰州理工大学学报(2015年04期),24-30. |
| MLA | 力一轩,et al."铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理".兰州理工大学学报 .2015年04期(2015):24-30. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性（1495KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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