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在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法
马颖; 徐卫军; 陈体军; 李元东; 侯伟骜; 吕维玲; 郝远
2007-03-14
专利权人兰州理工大学
公开日期2007-03-14
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法,其目的是提高镁合金表面微弧氧化处理的效率,降低电能消耗,获得性能良好的涂层;首先将预处理后的镁合金工件与大功率全波脉冲电源的正极连接后放入去离子水配制的以硅酸钠为主的碱性电解液中,电解槽阴极采用不锈钢材料,采用非对称交流脉冲电压对镁合金表面进行微弧氧化;在微弧氧化过程中,交流脉冲电压采用预先设定的分段加压方式和电压值;硅酸钠体系电解液的配比为:Na2SiO3·9H2O10:30g/L,NaOH或KOH:1~20g/L,KF·2H2O:10~40g/L,C3H5 (OH) 3:5~25g/L,NaAlO2·H2O或Na3C6H5O7·2H2O:5~50g/L,pH值在10~13之间。
申请日期2006-06-13
优先权日2006-06-13
专利状态驳回
申请号CN200610042990.0
公开(公告)号CN1928165A
IPC 分类号C25D11/30
专利代理人董斌
代理机构兰州振华专利代理有限责任公司
权利要求1、在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法,将预处理后的镁合金工件与大功率全波脉冲电源的正极连接后放入去离子水配制的以硅酸钠为主的碱性电解液中,其特征在于:电解槽阴极采用不锈钢材料,采用非对称交流脉冲电压对镁合金表面进行微弧氧化;在微弧氧化过程中,交流脉冲电压采用预先设定的分段加压方式和电压值。 2、根据权利要求1所述的在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法,其特征在于:非对称交流脉冲除正电压之外的其他电参数为:频率10~700Hz,占空比0.1~30,负电压5~50V。 3、根据权利要求1所述的在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法,其特征在于:所述硅酸钠体系电解液的配比为: Na2SiO3·9H2O10:                     30g/L, NaOH或KOH:                               1~20g/L, KF·2H2O:                              10~40g/L, C3H5(OH)3:                           5~25g/L, NaAlO2·H2O或Na3C6H5O7·2H2O:   5~50g/L, 溶液的PH值在10~13之间。
被引用专利数量23
简单法律状态失效
文献类型专利
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/110272
专题兰州理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
马颖,徐卫军,陈体军,等. 在镁合金表面生成微弧氧化陶瓷层的方法[P]. 2007-03-14.
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