单晶铜键合丝的制备方法

	单晶铜键合丝的制备方法
	丁雨田; 曹军; 胡勇; 许广济; 寇生中
	2009-09-09
专利权人	兰州理工大学
公开日期	2009-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H2+Ar2保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s，退火复绕时的张力为0.6～2.8g。
申请日期	2008-03-19
优先权日	2008-03-19
专利状态	撤回-视为撤回
申请号	CN200810017812.1
公开（公告）号	CN101524721A
IPC 分类号	B21C1/00 ; C22F1/08 ; C22B15/14 ; B22D27/04 ; C30B29/02 ; C30B11/00
专利代理人	董斌
代理机构	兰州振华专利代理有限责任公司
CPC分类号	H01L24/43 ; H01L2224/43 ; H01L2224/45 ; H01L2224/45144 ; H01L2224/45147 ; H01L2924/01204 ; H01L2924/00014 ; H01L2924/00 ; H01L2924/00012
权利要求	1、单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为： A、采用真空度为10-210-4MPa高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用纯度为过于99.99％高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆； B、将拉制成的高纯度单晶铜杆冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，拉拔速度控制在40～60m/min；然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm；拉制速度为400～600m/min；0.5mm以上模具表面粗糙度Ra为0.025，0.5mm以下模具表面粗糙度Ra高于0.025；保持拉丝塔轮、导向轮、收线盘等部件高度光洁，表面粗糙度Ra高于0.025；拉丝润滑剂采用水溶性润滑剂，浓度为0.4～0.8％，拉丝时温度为35～45℃； C、将上步骤拉制成的单晶铜键合丝表面清洗采用超声波清洗，清洗介质采用无水酒精，超声波功率40～80W，频率20～40KHz； D、将清洗后的单晶铜键合丝在退火复绕设备上进行热处理，热处理过程中采用H2+Ar2保护，其热处理温度为410～425℃，热处理时间为0.7～2.0s，保护气体流量为H2 0.3～0.6L/min、Ar2 0.4～0.65L/min；退火复绕时的张力为0.6～2.8g； E、将热处理后的单晶铜键合丝采用真空吸塑包装，真空度为10-3～10-4Mpa。
被引用专利数量	15
简单法律状态	失效
文献类型	专利
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/110101
专题	兰州理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	丁雨田,曹军,胡勇,等. 单晶铜键合丝的制备方法[P]. 2009-09-09.

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CN101524721A.PDF（539KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载