镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及制备方法

	镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及制备方法
	李文芳; 万小芳; 于非; 张果戈
	2016-05-04
专利权人	华南理工大学
公开日期	2016-05-04
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及其制备方法，制备方法包括：将镁合金用SiC砂纸打磨，然后进行清洗并用热风吹干，置于干燥器中待用；以镁合金为阳极，不锈钢薄板为阴极，将前处理后的镁合金浸泡在电解液中，采用交流恒流模式对镁合金进行微弧氧化处理，完毕后将镁合金取出用去离子水清洗，热风吹干，即可制得所需的微弧氧化黑色陶瓷膜。本发明在工作电压较低（≦300V）的情况下在镁合金表面生成耐蚀性能好，色泽均匀的黑色陶瓷层，效率高、单位能耗低、对环境污染小。
申请日期	2012-11-22
优先权日	2012-11-22
预估到期日	2032-11-22
专利状态	未缴年费
申请号	CN201210476200.5
公开（公告）号	CN103173836B
IPC 分类号	C25D11/30
专利代理人	何淑珍
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
权利要求	1.镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）前处理将镁合金用SiC砂纸打磨，然后进行清洗并用热风吹干，置于干燥器中待用；（2）微弧氧化以镁合金为阳极，不锈钢薄板为阴极，将前处理后的镁合金浸泡在电解液中，采用交流恒流模式对镁合金进行微弧氧化处理，完毕后将镁合金取出用去离子水清洗，干燥后即得黑色陶瓷膜；以加入的去离子水的体积为计算基准，所述电解液是由10～30g/LNa2SiO3、10～25g/L六偏磷酸钠、10～16g/LKF、8～12g/LNH4VO3、1～4g/LEDTA、2～6g/L柠檬酸钠和去离子水组成的；所述交流恒流模式中各电参数为：频率400～800Hz、占空比20%～50%、电流密度4.25～10.62A/dm2、氧化时间6～10min、正负脉冲比3:1～9:1。 2.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是步骤（1）依次用150#、400#、600#、800#的SiC砂纸将镁合金表面打磨至划痕方向一致。 3.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是：步骤（2）中所述阴极与阳极之间的距离为5cm。 4.根据权利要求3所述的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制备方法，其特征是：步骤（1）所述清洗为依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水在超声波中清洗，清洗时间分别为5～10min，温度为20℃。 5.由权利要求1～4任一项所述制备方法制得的镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜。
引用专利	CN101311326A;CN102021631A;CN102428213A;CN1796613A;US3791942A
被引用专利数量	2
简单法律状态	失效
文献类型	专利
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/109748
专题	兰州理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李文芳,万小芳,于非,等. 镁合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及制备方法[P]. 2016-05-04.

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CN103173836B.PDF（1187KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载