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| 化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响 | |
王智平; 赵静 ; 王克振
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| 2013-08-28 | |
| 发表期刊 | 太阳能学报
 |
| ISSN | ISSN：0254-0096 |
| 期号 | 2013年08期页码:1311-1316 |
| 摘要 | 采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响。结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要影响因素,醋酸镉、硫脲、氨水的浓度为次要因素,生长速率最小为0.68nm/min,最大达到43.12nm/min。各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响规律各不相同,随温度升高而单调增加,随醋酸铵浓度增大而单调下降;随着转速的加快生长速率先增大后减小最后保持稳定;醋酸镉、硫脲和氨水浓度对生长速率的影响规律较为复杂,存在一临界浓度,在临界浓度两侧生长速率变化差异较大,当浓度过大时,生长速率开始下降。 |
| 关键词 | 化学水浴沉积(CBD) CdS薄膜 正交实验 生长速率 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/9948 |
| 专题 | 材料科学与工程学院 能源与动力工程学院 |
| 作者单位 | 1.兰州理工大学材料科学与工程学院 2.兰州理工大学可再生能源研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智平,赵静,王克振. 化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响[J]. 太阳能学报,2013(2013年08期):1311-1316. |
| APA | 王智平,赵静,&王克振.(2013).化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响.太阳能学报(2013年08期),1311-1316. |
| MLA | 王智平,et al."化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响".太阳能学报 .2013年08期(2013):1311-1316. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影（383KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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