| 13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量 |
| 蒲忠胜; 关秋云; 马军; 严冬
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| 2006
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发表期刊 | 高能物理与核物理
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ISSN | 0254-3052
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卷号 | 30期号:12页码:1171-1174 |
摘要 | 报道了在13.5-14.6MeV中子能区用活化法测得的~(76)Ge(n, 2n)~(69)Ge, ~(76)Ge(n, 2n)~(75)Ge, ~(70)Ge(n, p)~(70)Ga, ~(72)Ge(n, p)~(72)Ga, ~(73)Ge(n, p)~(73)Ga, ~(72)Ge(n, a)~(69m)Zn和~(74)Ge(n, oc)~(71m)Zn的反应截面值.中子注量用~(93)Nb(n, 2n)~(92m)Nb反应截面得到.单能中子由T(d,n)4He反应获得.同时还列举了已收集到的文献值以作比较. |
关键词 | 锗
中子反应
反应截面
活化法
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收录类别 | CSCD
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语种 | 中文
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WOS研究方向 | Physics
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WOS类目 | PHYSICS NUCLEAR
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CSCD记录号 | CSCD:2611047
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引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/75944
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专题 | 理学院
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作者单位 | 兰州理工大学理学院物理系, 兰州, 甘肃 730050, 中国
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第一作者单位 | 理学院
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第一作者的第一单位 | 理学院
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
蒲忠胜,关秋云,马军,等. 13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量[J]. 高能物理与核物理,2006,30(12):1171-1174.
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APA |
蒲忠胜,关秋云,马军,&严冬.(2006).13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量.高能物理与核物理,30(12),1171-1174.
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MLA |
蒲忠胜,et al."13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量".高能物理与核物理 30.12(2006):1171-1174.
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