内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究

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	内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究
	张梅玲1 ; 陈玉红2 ; 张材荣2 ; 李公平 3
	2019
发表期刊	物理学报
ISSN	ISSN：1000-3290
卷号	68 期号:2019年08期页码:212-221
摘要	采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了Cu掺杂ZnO (简称CuZn)与内在缺陷共存对ZnO电磁光性质的影响.结果表明,Cu是以替位受主的形式掺入的;制备条件对CuZn及内在缺陷的形成起至关重要的作用,富氧条件下Cu掺杂有利于内在缺陷的形成,且CuZn-Oi最易形成;相反在缺氧条件下,Cu掺杂不利于内在缺陷的形成.替位Cu的3d电子在价带顶形成未占据受主能级,产生p导电类型.与CuZn体系相比,CuZn-VO体系中载流子浓度降低,导电性变差;CuZn-VZn体系中载流子浓度几乎不变,对导电性没影响;CuZn-Oi体系中载流子浓度升高,导电性增强.纯ZnO体系无磁性;而Cu掺杂ZnO体系,与Cu原子相连的O原子,电负性越小,键长越短,对磁矩贡献越大;CuZn与CuZn-Oi更多
关键词	第一性原理内在缺陷 Cu掺杂ZnO 形成能
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收录类别	CNKI
语种	中文
WOS研究方向	Chemistry
WOS类目	CHEMISTRY MULTIDISCIPLINARY
CSCD记录号	CSCD:6483701
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/741
专题	理学院
作者单位	1.兰州理工大学理学院;;兰州大学核科学与技术学院, ;;, 兰州;;兰州, ;; 730050;;730000 2.兰州理工大学理学院, 兰州, 甘肃 730050, 中国 3.兰州大学核科学与技术学院, 兰州, 甘肃 730000, 中国
第一作者单位	理学院
第一作者的第一单位	理学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张梅玲,陈玉红,张材荣,等. 内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究[J]. 物理学报,2019,68(2019年08期):212-221.
APA	张梅玲,陈玉红,张材荣,&李公平.(2019).内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究.物理学报,68(2019年08期),212-221.
MLA	张梅玲,et al."内在缺陷与Cu掺杂共存对ZnO电磁光学性质影响的第一性原理研究".物理学报 68.2019年08期(2019):212-221.