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Si_6N_2团簇结构与性质的密度泛函理论研究
张材荣; 陈玉红; 蒲忠胜; 王道斌; 元丽华; 许广济; 陈宏善
2007-08-01
卷号Vol.24
页码3
会议日期2007
出版地第十四届全国原子与分子物理学术会议论文专辑
摘要用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函 B3LYP 方法,在6—31G(d)的水平上对 Si_6N_2团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了16个可能的异构体,Si_6N_2团簇的最稳定结构是有4个 Si—N 键和4个 Si—Si 键的三维结构,自然键轨道方法分析成键性质的结果表明,Si-N 键中 Si 原子向 N 原子有较大的电荷转移,因此 Si—N 原子间有较强的电相互作用;最强的 IR 和 Raman 谱峰分别位于1359.14cm~(-1)和1366.29cm~(-1)处;并计算了 Si_6N_2团簇的最稳定结构的极化率和超极化率。
关键词氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论
收录类别CNKI
文献类型会议论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/28950
专题理学院
作者单位1.兰州理工大学理学院
2.兰州理工大学理学院
3.兰州理工大学理学院
4.兰州理工大学理学院
5.兰州理工大学理学院
6.兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室
7.西北师范大学物理与电子工程学院
推荐引用方式
GB/T 7714
张材荣,陈玉红,蒲忠胜,等. Si_6N_2团簇结构与性质的密度泛函理论研究[C]. 第十四届全国原子与分子物理学术会议论文专辑,2007:3.
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