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| MoO3掺杂有机半导体NPB光电性质研究 | |
赵玉康1; 苏江森1; 吴有智1 ; 张材荣2
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| 2022-10-15 | |
| 发表期刊 | 兰州理工大学学报
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| ISSN | 1673-5196 |
| 卷号 | 48期号:05页码:30-34 |
| 摘要 | 在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入过渡金属氧化物MoO3制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明：MoO3的引入明显提升了NPB的导电性能，在约2.0 V的外加电压下，100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm2,而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO3（50 wt.%）电流密度达到了2 530 mA/cm2.同样掺杂比例的NPB∶MoO3薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO3的额外吸收峰，表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO-3,从而产生了额外的空穴载流子，进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明，MoO3的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO3（30 wt.%）薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级，NPB∶MoO3（50 wt.%）掺杂薄膜的荧光强度降低为零. |
| 关键词 | 有机半导体 NPB MoO3 电荷转移复合物 猝灭 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | 北大核心 |
| 语种 | 中文 |
| 资助项目 | 国家自然科学基金(11964016) |
| 中图分类号 | TN304.5 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/162855 |
| 专题 | 材料科学与工程学院 理学院 |
| 通讯作者 | 吴有智 |
| 作者单位 | 1.兰州理工大学材料科学与工程学院; 2.兰州理工大学理学院 |
| 第一作者单位 | 材料科学与工程学院 |
| 通讯作者单位 | 材料科学与工程学院 |
| 第一作者的第一单位 | 材料科学与工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵玉康,苏江森,吴有智,等. MoO3掺杂有机半导体NPB光电性质研究[J]. 兰州理工大学学报,2022,48(05):30-34. |
| APA | 赵玉康,苏江森,吴有智,&张材荣.(2022).MoO3掺杂有机半导体NPB光电性质研究.兰州理工大学学报,48(05),30-34. |
| MLA | 赵玉康,et al."MoO3掺杂有机半导体NPB光电性质研究".兰州理工大学学报 48.05(2022):30-34. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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