CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展
赵静; 王智平; 王克振; 冯晶晖
2010-06-15
发表期刊甘肃科技纵横
ISSNISSN:1672-6375
期号2010年03期页码:70-72
摘要本论述简要介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的发展,重点阐述了CdS和ZnS缓冲层的研究现状,指出缓冲层的制备工艺上以化学水浴法居多,从成膜机理到工艺参数的优化都做了充分的研究,对真空蒸发法的制备工艺研究则相对较少,而且大部分都集中在蒸发温度、衬底温度和沉积温度对薄膜性能的影响上。最后指出了发展过程中遇到的两个问题:一Cd对环境的污染,二化学水浴法不利于工业化大生产。
关键词CIGS 薄膜电池 缓冲层 CdS薄膜 ZnS薄膜
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收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/15249
专题能源与动力工程学院
校友总会办公室
作者单位兰州理工大学可再生能源研究院
第一作者单位能源与动力工程学院
第一作者的第一单位能源与动力工程学院
推荐引用方式
GB/T 7714
赵静,王智平,王克振,等. CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展[J]. 甘肃科技纵横,2010(2010年03期):70-72.
APA 赵静,王智平,王克振,&冯晶晖.(2010).CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展.甘肃科技纵横(2010年03期),70-72.
MLA 赵静,et al."CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展".甘肃科技纵横 .2010年03期(2010):70-72.
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