冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响
王蕊; 马跃洲; 陈明; 贾金龙
2011-01-25
发表期刊新技术新工艺
ISSNISSN:1003-5311
期号2011年01期页码:54-57
摘要在新型带放电回路脉冲电源下研究冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响。结果表明,随着冷却时间的延长,起弧电压逐渐升高,膜层的成膜速率先增加后减小,腐蚀率先减小后增加;随着冷却时间的延长,膜层表面大尺寸的熔融物数量减少,孔隙增加,表面粗糙度增加;随着冷却时间的延长,孔隙率下降,膜层的耐腐蚀性提高。因此,镁合金微弧氧化过程中冷却时间要控制在2.5~3 ms,即频率取333~350 Hz,占空比14%~17%。
关键词镁合金 微弧氧化 带放电回路脉冲电源 冷却时间
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收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/14135
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企业单位划归国资委人员
作者单位兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室
第一作者单位材料科学与工程学院
第一作者的第一单位材料科学与工程学院
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GB/T 7714
王蕊,马跃洲,陈明,等. 冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响[J]. 新技术新工艺,2011(2011年01期):54-57.
APA 王蕊,马跃洲,陈明,&贾金龙.(2011).冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响.新技术新工艺(2011年01期),54-57.
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