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锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
杨保平; 钟小华; 张晓亮; 崔锦峰; 贾均红; 易戈文
2012-01-10
发表期刊无机盐工业
ISSNISSN:1006-4990
期号2012年01期页码:19-21
摘要以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85%。
关键词ATO纳米薄膜 Sb掺杂量 sol-gel法 光透过率 方块电阻
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收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/12468
专题图书馆
石油化工学院
作者单位1.兰州理工大学石油化工学院
2.中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨保平,钟小华,张晓亮,等. 锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响[J]. 无机盐工业,2012(2012年01期):19-21.
APA 杨保平,钟小华,张晓亮,崔锦峰,贾均红,&易戈文.(2012).锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响.无机盐工业(2012年01期),19-21.
MLA 杨保平,et al."锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响".无机盐工业 .2012年01期(2012):19-21.
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