碳纳米管的定向排列方法及制备装置

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	碳纳米管的定向排列方法及制备装置
	李维学; 戴剑峰; 王青; 魏智强; 冯旺军; 姜金龙; 马军; 崔永福; 李扬; 姚东
	2008-09-03
专利权人	兰州理工大学
公开日期	2008-09-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	碳纳米管的定向排列方法及制备装置，其方法步骤为：将聚合物和碳纳米管混合物注入到缸体内，用活塞压缩使之通过层流场、磁场，或者用活塞压缩使之通过层流场、电场，使碳纳米管在聚合物中进行向排列；其制备装置中活塞1安装在第一缸体2中，第一缸体2与第二缸体4同轴连接，磁场线圈7安装在第二缸体4的外园上，第二缸体4的右端出口处安装有第一网孔5，第二缸体4的右端与喷注管12同轴连接，或者第一缸体2与第三缸体11同轴连接，电源正极10安装在第三缸体11的一侧，第三缸体11的右端出口处安装有第三网孔9，第三缸体11的右端与喷注管12同轴连接。
申请日期	2007-07-02
优先权日	2007-07-02
专利状态	撤回-视为撤回
申请号	CN200710018343.0
公开（公告）号	CN101254895A
IPC 分类号	B82B3/00
专利代理人	董斌
代理机构	兰州振华专利代理有限责任公司
权利要求	1. 碳纳米管的定向排列方法，其步骤为：将聚合物和碳纳米管混合物注入到缸体内，用活塞压缩使之通过层流场、磁场，或者用活塞压缩使之通过层流场、电场，使碳纳米管在聚合物中进行向排列。 2. 根据权利要求1所述的碳纳米管的定向排列方法，其步骤为：将聚合物和碳纳米管混合物注入到缸体内，用活塞压缩使之通过层流场、磁场和电场，或者用活塞压缩使之通过层流场、电场和磁场，使碳纳米管在聚合物中进行向排列。 3. 实施权利要求1所述方法的制备装置，活塞(1)安装在第一缸体(2)中，其特征在于第一缸体(2)与第二缸体(4)同轴连接，磁场线圈(7)安装在第二缸体(4)的外园上，第二缸体(4)的右端出口处安装有第一网孔(5)，第二缸体(4)的右端与喷注管(12)同轴连接，或者第一缸体(2)与第三缸体(11)同轴连接，电源正极(10)安装在第三缸体(11)的一侧，第三缸体(11)的右端出口处安装有第三网孔(9)，第三缸体(11)的右端与喷注管(12)同轴连接。 4. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于第一缸体(2)与第二缸体(4)同轴连接，磁场线圈(7)安装在第二缸体(4)的外园上，第二缸体(4)的右端出口处安装有第一网孔(5)，第二缸体(4)的右端第三缸体(11)同轴连接，电源正极(10)安装在第三缸体(11)的一侧，在第三缸体(11)的左端入口处安装有第二网孔(6)，在第三缸体(11)的右端出口处安装有第三网孔(9)，第三缸体(11)的右端与喷注管(12)同轴连接。 5. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于第一缸体(2)与第三缸体(11)同轴连接，电源正极(10)安装在第三缸体(11)的一侧，在第三缸体(11)的左端入口处安装有第二网孔(6)，在第三缸体(11)的右端出口处安装有第三网孔(9)，第三缸体(11)的右端第二缸体(4)同轴连接，磁场线圈(7)安装在第二缸体(4)的外园上，第二缸体(4)的右端出口处安装有第一网孔(5)，第二缸体(4)的右端与喷注管(12)同轴连接。 6. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于第一缸体(2)的内径为0.2m、长度为0.5m，缸体活塞压强为0.2～0.5×106Pa。 7. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于安装在第二缸体(4)的外园上磁场线圈(7)的磁场空间长度为0.5m，磁感应强度为5～10T。 8. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于安装在第三缸体(11)的一侧电源正极(10)形成的电场空间长度为0.1m，电场强度为10000～100000V/m。 9. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于第一网孔(5)、第二网孔(6)第三网孔(9)的网孔的直径均为5.0×10-5m。 10. 根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于喷注管长度为2.5～3.0m。
被引用专利数量	17
简单法律状态	失效
文献类型	专利
条目标识符	https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/110170
专题	理学院
推荐引用方式 GB/T 7714	李维学,戴剑峰,王青,等. 碳纳米管的定向排列方法及制备装置[P]. 2008-09-03.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101254895A.PDF（392KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载