IR
沟道工艺偏差对亚10纳米无结FinFET输运效率的影响及机理研究
Project Number61504051
楼海君
Abstract无结FinFET器件拥有优越的亚阈值特性和短沟道效应抑制能力,是有潜力缩进到7纳米以下的新一代器件结构。准弹道机制下,载流子输运效率成为改善器件电流驱动能力的关键。针对不可避免的器件沟道工艺偏差,本项目搭建基于sp3d5s*紧束缚方法、实空间非平衡态格林函数输运理论和三维泊松方程的全量子模拟器,开展其对亚10纳米无结FinFET载流子输运效率的影响及物理机理研究。从原子层次探讨载流子输运效率与沟道最窄处属性、杂质散射、区域静电特性及量子效应的物理关联。引入蒙特卡洛方法,分析载流子遍历距离对输运效率的影响。采用能量转移表征沟道工艺偏差对载流子隧穿几率的作用,深入能谱、态密度分析二级效应物理机理。本项目研究将优化无结FinFET器件结构,抑制二级效应,为提升无结FinFET电流驱动能力提供理论指导和分析手段,奠定无结FinFET器件工业化应用的基础。
Subtype青年科学基金项目
Project Source国家自然科学基金
2016-01
End Date2018-12
MOST Discipline Catalogue12 - 信息科学 ; 1204 - 半导体科学与信息器件
Host Institution兰州理工大学
Project Funding240000.0
CountryCN
Language中文
Document Type项目
Identifierhttp://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/64638
Collection兰州理工大学
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GB/T 7714
楼海君.沟道工艺偏差对亚10纳米无结FinFET输运效率的影响及机理研究.2016.
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