二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨
郭铁明; 马勤; 周琦; 季根顺; 贾建刚
2005-08-28
发表期刊兰州理工大学学报
ISSNISSN:1000-5889
期号2005年04期页码:35-37
摘要通过采用所选的化学腐蚀剂的系列实验,对不同工艺制备的MoSi2基材料进行了晶界腐蚀实验,利用XJG-04型金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM),研究了MoSi2基材料腐蚀后的显微组织,并对其腐蚀结果进行了探讨.研究结果发现,用热压烧结法制备的致密度较高的MoSi2基材料具有晶间腐蚀敏感性,可用(HF+HNO3+H2O)作为其晶界腐蚀剂显示晶粒大小;MoSi2基材料的微观结构对晶界腐蚀有很大的影响,孔隙等缺陷越少,越有利于晶界的腐蚀,当孔隙率较高时其腐蚀模式主要为缝隙腐蚀,不宜用腐蚀的方式显示晶粒大小.
关键词二硅化钼 晶界 腐蚀方法 致密度 孔隙
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收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/22897
专题材料科学与工程学院
外国语学院
作者单位1.兰州理工大学材料科学与工程学院
2.兰州理工大学材料科学与工程学院 甘肃兰州730050
3.兰州理工大学甘肃省有色金属新材料国家重点实验室
4.甘肃兰州730050
推荐引用方式
GB/T 7714
郭铁明,马勤,周琦,等. 二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨[J]. 兰州理工大学学报,2005(2005年04期):35-37.
APA 郭铁明,马勤,周琦,季根顺,&贾建刚.(2005).二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨.兰州理工大学学报(2005年04期),35-37.
MLA 郭铁明,et al."二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨".兰州理工大学学报 .2005年04期(2005):35-37.
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