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KMC模拟薄膜生长反常效应的研究
郑小平; 张佩峰; 贺德衍; 郝远
2008-10-20
发表期刊材料工程
ISSNISSN:1001-4381
期号2008年10期页码:29-31+34
摘要以扩散理论基础,建立以"基本微观过程"为核心的新模型,首次对存在表面活化剂时薄膜生长的微观过程进行KINETIC MONTE CARLO模拟。模拟发现,温度较低时沉积原子自身更容易聚集成核,这一反常效应是由于表面活化剂原子比沉积原子更容易被激活扩散造成的。活化层原子和沉积原子都会发生跨层间的扩散,交换比并非恒等于1,而是与温度、入射率、成膜厚度等多种因素有关。
关键词KMC 薄膜 反常效应 交换
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收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/18240
专题兰州理工大学
作者单位1.兰州城市学院电子信息科学与技术研究所
2.兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室
3.兰州大学物理科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
郑小平,张佩峰,贺德衍,等. KMC模拟薄膜生长反常效应的研究[J]. 材料工程,2008(2008年10期):29-31+34.
APA 郑小平,张佩峰,贺德衍,&郝远.(2008).KMC模拟薄膜生长反常效应的研究.材料工程(2008年10期),29-31+34.
MLA 郑小平,et al."KMC模拟薄膜生长反常效应的研究".材料工程 .2008年10期(2008):29-31+34.
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