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| 一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO | |
任国栋 ; 王永顺; 汪再兴; 王道斌; 冯有才; 武钢
| |
| 2011-02-03 | |
| 发表期刊 | 半导体技术
 |
| ISSN | ISSN：1003-353X |
| 期号 | 2011年02期页码:144-147 |
| 摘要 | LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案。为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统。实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电。 |
| 关键词 | 阱电容 反偏二极管 前馈电容 低压差线性稳压器 带宽 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/14107 |
| 专题 | 理学院 |
| 作者单位 | 1.兰州理工大学理学院 2.兰州交通大学电子与信息工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任国栋,王永顺,汪再兴,等. 一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO[J]. 半导体技术,2011(2011年02期):144-147. |
| APA | 任国栋,王永顺,汪再兴,王道斌,冯有才,&武钢.(2011).一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO.半导体技术(2011年02期),144-147. |
| MLA | 任国栋,et al."一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO".半导体技术 .2011年02期(2011):144-147. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO.p（560KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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